第一次接触是多年前，跟LW聊的，快恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）的寿命控制技术，巴拉巴拉。。。听来很玄妙的东东，至今依旧！

后来琢磨IGBT多了，跟FRD有诸多相似之处，相同之处。有幸跟LW请教很多，载流子的生死，载流子寿命控制手段等等；如今LW远走南方，只能网上时时讨教，深感遗憾！

最近发现载流子寿命的公式，分享各位客官。

其中LA为双极扩散长度，约等于漂移区的厚度；以硅材料为例，常温下，kT/q=0.025V，μp为空穴迁移率（450cm2/（v·s）），μn为电子迁移率（1350cm2/（v·s）），τ为载流子寿命。

对于IGBT/FRD等双极器件，需电导调制以降低导通损耗，对载流子寿命有一定要求。根据上面公式，不同漂移区厚度与寿命的关系图如下。

对于硅材料而言，1μm漂移区厚度对应电压约10V。200μm厚度可满足击穿电压2000V需求，对载流子寿命的要求为22.9μs。

小江又查阅了下硅原始晶圆规格，载流子寿命＞300μs，远远满足需求。

需注意的事，在加工过程中，载流子寿命会减小，但即使降1个数量级，也可满足需求。

综上所示，小结如下：

1、感谢LW，打开了载流子寿命的大门；

2、对于硅材料而言，尤其是小于2000V的器件，载流子寿命足足够，无需关注；

3、寿命控制技术使得载流子寿命减小，导通损耗增大。

全文完，欢迎拍砖！

参考论文见：

链接： https://pan.baidu.com/s/1HgDiC56FebLf90YYVMdWKQ

提取码：nfcg

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